高低溫試驗(yàn)測(cè)試流程：

　　1,、在樣品斷電的狀態(tài)下，先將溫度下降到-50°C,，保持4個(gè)小時(shí);

　　請(qǐng)勿在樣品通電的狀態(tài)下進(jìn)行低溫測(cè)試,，非常重要,，因?yàn)橥姞顟B(tài)下，芯片本身就會(huì)產(chǎn)生+20°C以上溫度,，在通電狀態(tài)下,，通常比較容易通過(guò)低溫測(cè)試，必須先將其“凍透”,，通電進(jìn)行測(cè)試,。

　　2、開(kāi)機(jī),，對(duì)樣品進(jìn)行性能測(cè)試,，對(duì)比性能與常溫相比是否正常。

　　3,、進(jìn)行老化測(cè)試,，觀察是否有數(shù)據(jù)對(duì)比錯(cuò)誤。

　　4,、升溫到+90°C,，保持4個(gè)小時(shí)，與低溫測(cè)試升溫過(guò)程不斷電,，保持芯片內(nèi)部的溫度一直處于高溫狀態(tài),，4個(gè)小時(shí)后，執(zhí)行2,、3,、4測(cè)試步驟。

　　5,、高溫和低溫測(cè)試分別重復(fù)10次,。

　　如果測(cè)試過(guò)程出現(xiàn)任何一次不能正常工作的狀態(tài)，則視為測(cè)試失敗,。