HN1000B 斷路器剩余電流保護(hù)器動(dòng)作特性測(cè)試儀（分A型AC型B型F型） B型剩余電流斷路器測(cè)試儀（以下簡(jiǎn)稱測(cè)試儀）是為剩余電流斷路器的性能測(cè)試而研制,，它是檢測(cè)B型剩余電流斷路器脫扣電流和分?jǐn)鄷r(shí)間的關(guān)鍵儀器,。
測(cè)試儀適用于電子式和電磁式的剩余電流斷路器。
1P+N,、2P,、、+N,、4P的斷路器均能測(cè)試,，輸出大剩余電流為2A。
系統(tǒng)顯示和操作采用流行的工業(yè)級(jí)觸摸屏,，操作簡(jiǎn)單,； 接地方式：可靠接地   測(cè)試儀輸出的電流值為真有效值，測(cè)試不確定度小于1%,； （2）50Hz交流剩余電流范圍：0~2A,； 選項(xiàng)角為0°的脈動(dòng)直流剩余電流,，電流的范圍為0~800mA； 選項(xiàng)角為135°的直流剩余電流,，電流的范圍為0~200mA,； （5）疊加平滑直流的范圍為5~100mA；  50Hz工頻電磁場(chǎng)干擾是硬件開發(fā)中難以避免的問題,，特別是敏感測(cè)量電路中,，工頻電磁場(chǎng)會(huì)使測(cè)量信號(hào)淹沒在工頻波形里，嚴(yán)重影響測(cè)量穩(wěn)定度,，故消除工頻電磁場(chǎng)干擾是敏感測(cè)量電路設(shè)計(jì)中不可逃避的挑戰(zhàn),。
PT100是當(dāng)前應(yīng)用為廣泛的測(cè)溫方案，各位工程師在應(yīng)用此方案時(shí)是否會(huì)遇到這樣的問題：為什么PT100測(cè)溫電路會(huì)存在周期性小波動(dòng),？該如何解決,？其實(shí)出現(xiàn)這樣的現(xiàn)象主要可能是存在如下幾個(gè)原因：50Hz工頻電磁場(chǎng)的影響；周圍電機(jī)或者繼電器等開關(guān)動(dòng)作造成的群脈沖干擾,；傳導(dǎo)進(jìn)去系統(tǒng)的工頻共模干擾,。
蘭色段開始變彎曲，斜率逐漸變小,。
紅色段就幾乎變成水平了,，這就是“飽和”。
實(shí)際上,，飽和是一個(gè)漸變的過程,，蘭色段也可以認(rèn)為是初始進(jìn)入飽和的區(qū)段。
在實(shí)際工作中,，常用Ib*β=V/R作為判斷臨界飽和的條件,。
在圖中就是假想綠色段繼續(xù)向上延伸，與Ic=50MA的水平線相交,，交點(diǎn)對(duì)應(yīng)的Ib值就是臨界飽和的Ib值,。
圖中可見該值約為0.25mA。
由圖可見,，根據(jù)Ib*β=V/R算出的Ib值,，只是使晶體管進(jìn)入了初始飽和狀態(tài)，實(shí)際上應(yīng)該取該值的數(shù)倍以上,，才能達(dá)到真正的飽和,；倍數(shù)越大，飽和程度就越深,。
WLP(WaferLevelPackaging)：晶圓級(jí)封裝,，是一種以BGA為基礎(chǔ)經(jīng)過改進(jìn)和提高的CSP，直接在晶圓上進(jìn)行大多數(shù)或是全部的封裝測(cè)試程序，之后再進(jìn)行切割制成單顆組件的方式,。
上述封裝方式中，系統(tǒng)級(jí)封裝和晶圓級(jí)封裝是當(dāng)前受到熱捧的兩種方式,。
系統(tǒng)級(jí)封裝因涉及到材料,、工藝、電路,、器件,、半導(dǎo)體、封裝及測(cè)試等,，在發(fā)展的過程中對(duì)以上域都將起到帶動(dòng)作用促進(jìn)電子制造產(chǎn)業(yè)進(jìn)步,。
晶圓級(jí)封裝可分為扇入型和扇出型，IC制造域巨頭臺(tái)積電能夠拿下蘋果A10訂單,，其開發(fā)的集成扇出型封裝功不可沒,。