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Nor Flash信號完整性測試,,Nor Flash電源完整性測試,Nor Flash時序測試

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發(fā)布時間: 2023-12-18 03:26
最后更新: 2023-12-18 03:26
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Nand-Flash的設(shè)計

     系統(tǒng)中所采用的Nand-Flash芯片是Samsung公司的K9F2808U,。該器件存儲容量為16M×8位,,還有512KX 8位的空閑存儲區(qū),。該器件采用TSSOP48封裝,工作電壓為2.7~3.6V,。8位I/O端口采用地址,、數(shù)據(jù)和命令復(fù)用的方法,這樣既可減少引腳數(shù),,又可使接口電路簡捷,。

由于ARM系統(tǒng)沒有Nand-Flash控制所需要的CLE、ALE信號,,需要利用ARM的通用GPIO口。具體的連接電路如圖7-3所示,。


?命令鎖存使能(CLE),,使輸入的命令發(fā)送到命令寄存器。當(dāng)變?yōu)楦唠娖綍r,,在WE上升沿命令通過I/O口鎖存到命令寄存器,。

?地址鎖存使能(ALE),控制地址輸入到片內(nèi)的地址寄存器中,,地址是在WE的上升沿被鎖存的,。

?片選使能(CE),用于器件的選擇控制,。在讀操作,、CE變?yōu)楦唠娖綍r,器件返回到  備用狀態(tài),;當(dāng)器件在寫操作或擦除操作過程中保持忙狀態(tài)時,,CE的變高將被忽略,不會返回到備用狀態(tài),。

?寫使能(WE),,用于控制把命令、地址和數(shù)據(jù)在它的上升沿寫入到I/O端口,;而在  讀操作時必須保持高電平,。

?讀使能(RE),控制把數(shù)據(jù)放到I/O總線上,,在它的下降沿tREA時間后數(shù)據(jù)有效,;使內(nèi)部的列地址自動加1。

?I/O端口,,用于命令,、地址和數(shù)據(jù)的輸入及讀操作時的數(shù)據(jù)輸出。當(dāng)芯片未選中時,,                I/O口為高阻態(tài),。
?工寫保護(WP),,禁止寫操作和擦除操作。當(dāng)它有效時,,內(nèi)部的高壓生成器將會復(fù)位,。

?準(zhǔn)備/忙(R/B),反映當(dāng)前器件的狀態(tài),。低電平時,,表示寫操作或擦除操作以及隨機讀正進行中;當(dāng)它變?yōu)楦唠娖綍r,,表示這些操作已經(jīng)完成,。它采用了開漏輸出結(jié)構(gòu),在芯片未選中時不會保持高阻態(tài),。

3.3 Nor-F1ash/Nand-FIash跳線選擇

由于ARM提供了Nand-Flash Boot-loader技術(shù)和可選擇的多種啟動方式,,硬件設(shè)計中設(shè)計了Nor-Flash和Nand-Flash,通過跳線選擇啟動方式,,

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