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DDR測(cè)試,開(kāi)放式硬件實(shí)驗(yàn)室

單價(jià): 面議
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所在地: 直轄市 上海
有效期至: 長(zhǎng)期有效
發(fā)布時(shí)間: 2023-12-20 02:06
最后更新: 2023-12-20 02:06
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DDR測(cè)試,開(kāi)放式硬件實(shí)驗(yàn)室


  DDR3相較于DDR2而言主要有如下幾個(gè)特點(diǎn):
  1.突發(fā)長(zhǎng)度(Burst Length,BL):由于DDR3的預(yù)取為8bit,突發(fā)傳輸周期(Burst Length,,BL)也固定為8,,而對(duì)于DDR2和早期的DDR架構(gòu)系統(tǒng),BL=4也是常用的,,DDR3為此增加了一個(gè)4bit Burst Chop(突發(fā)突變)模式,,即由一個(gè)BL=4的讀取操作加上一個(gè)BL=4的寫(xiě)入操作來(lái)合成一個(gè)BL=8的數(shù)據(jù)突發(fā)傳輸,屆時(shí)可通過(guò)A12地址線來(lái)控制這一突發(fā)模式,。需要指出的是,,任何突發(fā)中斷操作都將在DDR3內(nèi)存中予以禁止,且不予支持,,取而代之的是更靈活的突發(fā)傳輸控制(如4bit順序突發(fā)),。
  2.尋址時(shí)序(Timing):就像DDR2從DDR轉(zhuǎn)變而來(lái)后延遲周期數(shù)增加一樣,DDR3的CL周期也將比DDR2有所提高,。DDR2的CL范圍一般在2~5之間,,而DDR3則在5~11之間,且附加延遲(AL)的**也有所變化,。DDR2時(shí)AL的范圍是0~4,,而DDR3時(shí)AL有三種選項(xiàng),分別是0,、CL-1和CL-2,。DDR3還新增加了一個(gè)時(shí)序參數(shù)-寫(xiě)入延遲(CWD),這一參數(shù)將根據(jù)具體的工作頻率而定,。


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