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過(guò)電流保護(hù)

在變頻器維修中,過(guò)電流保護(hù)的對(duì)象主要指帶有突變性質(zhì)的,、電流的峰值超過(guò)了變頻器的容許值的情形.

由于逆變器的過(guò)載能力較差,變頻器的過(guò)電流保護(hù)是至關(guān)重要的一環(huán),迄今為止,已發(fā)展得十分完善.

一,、過(guò)電流的原因

1、工作中過(guò)電流即拖動(dòng)系統(tǒng)在工作過(guò)程中出現(xiàn)過(guò)電流.其原因大致來(lái)自以下幾方面:

① 電動(dòng)機(jī)遇到?jīng)_擊負(fù)載,或傳動(dòng)機(jī)構(gòu)出現(xiàn)“卡住”現(xiàn)象,引起電動(dòng)機(jī)電流的突然增加.

② 變頻器的輸出側(cè)短路,如輸出端到電動(dòng)機(jī)之間的連接線(xiàn)發(fā)生相互短路,或電動(dòng)機(jī)內(nèi)部發(fā)生短路等.

③ 變頻器自身工作的不正常,如逆變橋中同一橋臂的兩個(gè)逆變器件在不斷交替的工作過(guò)程中出現(xiàn)異常,。例如由于環(huán)境溫度過(guò)高,，或逆變器件本身老化等原因，使逆變器件的參數(shù)發(fā)生變化,，導(dǎo)致在交替過(guò)程中,，一個(gè)器件已經(jīng)導(dǎo)通、而另一個(gè)器件卻還未來(lái)得及關(guān)斷,，引起同一個(gè)橋臂的上,、下兩個(gè)器件的“直通”，使直流電壓的正,、負(fù)極間處于短路狀態(tài),。

2、升速時(shí)過(guò)電流 當(dāng)負(fù)載的慣性較大，而升速時(shí)間又設(shè)定得太短時(shí),，意味著在升速過(guò)程中,，變頻器的工作效率上升太快，電動(dòng)機(jī)的同步轉(zhuǎn)速迅速上升,，而電動(dòng)機(jī)轉(zhuǎn)子的轉(zhuǎn)速因負(fù)載慣性較大而跟不上去,，結(jié)果是升速電流太大。

3,、降速中的過(guò)電流 當(dāng)負(fù)載的慣性較大,，而降速時(shí)間設(shè)定得太短時(shí)，也會(huì)引起過(guò)電流,。因?yàn)?，降速時(shí)間太短，同步轉(zhuǎn)速迅速下降,，而電動(dòng)機(jī)轉(zhuǎn)子因負(fù)載的慣性大,，仍維持較高的轉(zhuǎn)速，這時(shí)同樣可以是轉(zhuǎn)子繞組切割磁力線(xiàn)的速度太大而產(chǎn)生過(guò)電流,。

二,、處理方法

1、 起動(dòng)時(shí)一升速就跳閘,，這是過(guò)電流十分嚴(yán)重的現(xiàn)象,，主要檢查

① 工作機(jī)械有沒(méi)有卡住

② 負(fù)載側(cè)有沒(méi)有短路，用兆歐表檢查對(duì)地有沒(méi)有短路

③ 變頻器功率模塊有沒(méi)有損壞

④ 電動(dòng)機(jī)的起動(dòng)轉(zhuǎn)矩過(guò)小,，拖動(dòng)系統(tǒng)轉(zhuǎn)不起來(lái)

2,、 起動(dòng)時(shí)不馬上跳閘，而在運(yùn)行過(guò)程中跳閘,，主要檢查

① 升速時(shí)間設(shè)定太短,，加長(zhǎng)加速時(shí)間

② 減速時(shí)間設(shè)定太短，加長(zhǎng)減速時(shí)間

③ 轉(zhuǎn)矩補(bǔ)償(U/F比)設(shè)定太大,，引起低頻時(shí)空載電流過(guò)大

④ 電子熱繼電器整定不當(dāng),，動(dòng)作電流設(shè)定得太小，引起變頻器誤動(dòng)作

電壓保護(hù)

1,、 過(guò)電壓保護(hù)

產(chǎn)生過(guò)電壓的原因及處理方法：

① 電源電壓太高

② 降速時(shí)間太短

③ 降速過(guò)程中,，再生制動(dòng)的放電單元工作不理想，來(lái)不及放電,，請(qǐng)?jiān)黾油饨又苿?dòng)電阻和制動(dòng)單元

④ 請(qǐng)檢查放電回路有沒(méi)有發(fā)生故障,，實(shí)際并不放電；對(duì)于小功率的變頻器很有放電電阻損壞

2,、 欠電壓保護(hù)

產(chǎn)生欠電壓的原因及處理方法：

① 電源電壓太低

② 電源缺相,；

③ 整流橋故障：如果六個(gè)整流二極管中有部分因損壞而短路,，整流后的電壓將下降,，對(duì)于整流器件和晶閘管的損壞,，應(yīng)注意檢查，及時(shí)更換,。

逆變器件的介紹：

1.SCR和GTO晶閘管

⑴普通晶閘管SCR 曾稱(chēng)可控硅,，它有三個(gè)極：陽(yáng)極，陰極和門(mén)極,。

SCR的工作特點(diǎn)是,，當(dāng)在門(mén)極與陰極間加一個(gè)不大的正向電壓（G為+，K為—）時(shí),，SCR即導(dǎo)通,，負(fù)載Rl中就有電流流過(guò)。導(dǎo)通后,，取消門(mén)極電壓,，SCR仍保持導(dǎo)通狀態(tài)。只有當(dāng)陽(yáng)極電路的電壓為0或負(fù)值時(shí),，SCR才關(guān)斷,。只需要用一個(gè)脈沖信號(hào)，就可以控制其導(dǎo)通了,，故它常用于可控整流,。

作為一種無(wú)觸點(diǎn)的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件，其允許反復(fù)導(dǎo)通和關(guān)斷的次數(shù)幾乎是無(wú)限的,，并且導(dǎo)通的控制也十分方便,。這是一般的“通-斷開(kāi)關(guān)”所望塵莫及的，從而使實(shí)現(xiàn)異步電動(dòng)機(jī)的變頻調(diào)速取得了突破,。但由于變頻器的逆變電路是在直流電壓下工作的,，而SCR在直流電壓下又不能自行關(guān)斷，要實(shí)現(xiàn)逆變,，還必須增加輔助器件和相應(yīng)的電路來(lái)幫助它關(guān)斷,。當(dāng)時(shí)的變頻調(diào)速裝置在個(gè)別領(lǐng)域（如風(fēng)機(jī)和泵類(lèi)負(fù)載）已經(jīng)能夠?qū)嵱茫茨苓M(jìn)入大范圍的普及應(yīng)用階段,。

⑵門(mén)極關(guān)斷（GTO）晶閘管 SCR在一段時(shí)間內(nèi),，幾乎是能夠承受高電壓和大電流的唯一半導(dǎo)體器件。針對(duì)SCR的缺點(diǎn),，人們很自然地把努力方向引向了如何使晶閘管具有關(guān)斷能力這一點(diǎn)上,，并而開(kāi)發(fā)出了門(mén)極關(guān)斷晶閘管。

GTO晶閘管的基本結(jié)構(gòu)和SCR類(lèi)似,，它的三個(gè)極也是：陽(yáng)極（A）,、陰極（K）和門(mén)極（G）。其圖行符號(hào)也和SCR相似，只是在門(mén)極上加一短線(xiàn),，以示區(qū)別,。

GTO晶閘管的基本電路和工作特點(diǎn)是：

①在門(mén)極G上加正電壓或正脈沖（開(kāi)關(guān)S和至位置1）GTO晶閘管即導(dǎo)通。其后,，撤消控制信號(hào)（開(kāi)關(guān)回到位置0）,，GTO晶閘管仍保持導(dǎo)通?？梢?jiàn),，GTO晶閘管的導(dǎo)通過(guò)程和SCR的導(dǎo)通過(guò)程完全相同。

②如在G,、K間加入反向電壓或較強(qiáng)的反向脈沖（開(kāi)關(guān)和至位置2）,，可使GTO晶閘管關(guān)斷?！∮肎TO晶閘管作為逆變器件取得了較為滿(mǎn)意的結(jié)果,，但其關(guān)斷控制較易失敗，故仍較復(fù)雜,，工作頻率也不夠高,。而幾乎是大功率管（GTR）迅速發(fā)展了起來(lái)，使GTO晶閘管相形見(jiàn)絀,。在大量的中小容量變頻器中,，GTO晶閘管已基本不用。但其工作電流大,，故在大容量變頻器中,，仍居主要地位。

逆變器件的介紹：上次我們向大家介紹了普通晶閘管（SCR）和門(mén)極關(guān)斷晶閘管（GTO）,，最重要是讓大家了解變頻器中逆變器件是如何工作的,，它們起到什么作用！我們講：大功率晶體管（GTR）-大功率晶體管,，也叫雙極結(jié)型晶體管（BJT）,。

1、 變頻器用的GTR一般都是（復(fù)合管）模塊,，其內(nèi)部有三個(gè)極分別是集電極C,、發(fā)射極E和基極B。根據(jù)變頻器的工作特點(diǎn),，在晶體管旁還并聯(lián)了一個(gè)反向連接的續(xù)流二極管,。又根據(jù)逆變橋的特點(diǎn)，常做成雙管模塊,，甚至可以做成6管模塊,。

2,、 工作時(shí)狀態(tài) 和普通晶體管一樣，GTR也是一種放大器件,，具有三種基本的工作狀態(tài)：

⑴放大狀態(tài) 起基本工作特點(diǎn)是集電極電流Ic的大小隨基極電流Ib而變　 Ic=βIb 　式中β------GTR的電流放大倍數(shù),。

GTR處于放大狀態(tài)時(shí)，其耗散功率Pc較大,。設(shè)Uc=200V，Rc=10Ω,，β=50,，Ib=200mA（0.2A）　計(jì)算如下：Ic= βIb=50*0.2A=10A 　 Uce=Uc-IcRc=(200-10*10)V=100V 　 Pc=UceIc=100*10W=1000W=1KW 　⑵飽和狀態(tài) Ib增大時(shí),，Ic隨之而增大的狀態(tài)要受到歐姆定律的制約,。當(dāng)　βIb>Uc/Rc　 時(shí)，Ic=βIb的關(guān)系便不能再維持了,，這時(shí),，GTR開(kāi)始進(jìn)入“飽和"狀態(tài)。而當(dāng)　Ic的大小幾乎完全由歐姆定律決定,，即 Ics≈Uc/Rc 　時(shí),，GTR便處于深度飽和狀態(tài)（Ics 為飽和電流）。這時(shí),，GTR的飽和壓降Uces約 為1-5V,。

GTR處于飽和狀態(tài)時(shí)的功耗是很小的。上例中,，設(shè)Uces=2V,，則　 Ics=Uc/Rc=200/10A=20A 　 Pc=UcesIcs=2*20W=40W

可見(jiàn)，與放大狀態(tài)相比,，相差甚遠(yuǎn),。

⑶截止?fàn)顟B(tài) 即關(guān)斷狀態(tài)。這是基極電流Ib≤0的結(jié)果,。

在截止?fàn)顟B(tài),，GTR只有很微弱的漏電流流過(guò)，其功耗是微不足道的,。

GTR在逆變電路中是用來(lái)作為開(kāi)關(guān)器件的,，工作過(guò)程中，總是在飽和狀態(tài)間進(jìn)行交替,。逆變用的GTR的額定功耗通常是很小的,。而如上述，如果GTR處于放大狀態(tài),，其功耗將增大達(dá)百倍以上,。逆變電路中的GTR是不允許在放大狀態(tài)下小作停留的,。

3.主要參數(shù)

⑴在截止?fàn)顟B(tài)時(shí)

①擊穿電壓Uceo和Ucex：能使集電極C和發(fā)射極E之間擊穿的最小電壓?；鶚OB開(kāi)路是用　Uceo表示,，B、E間接入反向偏壓時(shí)用Ucex 表示,。在大多數(shù)情況下,，這兩個(gè)數(shù)據(jù)是相等的。

②漏電流Iceo 和 Icex：截止?fàn)顟B(tài)下,，從C極流向E極的電流,。B極開(kāi)路時(shí)為 Iceo，B,、E間反偏時(shí)為 Icex,。

⑵在飽和狀態(tài)時(shí)

① 集電極最大電流Icm：GTR飽和導(dǎo)通是的最大允許電流。

② 飽和壓降Uces：當(dāng)GTR飽和導(dǎo)通時(shí),，C,、E間的電壓降。

⑶在開(kāi)關(guān)過(guò)程中

① 開(kāi)通時(shí)間Ton：從B極通入正向信號(hào)電流時(shí)起,，到集電極電流上升到0.9 Ics 所需要的時(shí)間,。

② 關(guān)斷時(shí)間Toff：從基極電流撤消時(shí)起，至Ic下降至0.1 Ics 所需的時(shí)間

開(kāi)通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間將直接影響到SPWM調(diào)制是的載波頻率,。通常,，使用GTR做逆變管時(shí)的載波頻率底于2KHz。

4.變頻器用GTR的選用

⑴Uceo 通常按電源線(xiàn)電壓U峰值的2倍來(lái)選擇,。

Uceo≥2廠(chǎng)2U 　在電源電壓為380V的變頻器中,，應(yīng)有 Uceo≥2廠(chǎng)2U*380V=1074.8V，故選用 Uceo=1200V的GTR是適宜的,。

⑵Icm 按額定電流In峰值的2倍來(lái)選擇　 Icm≥2廠(chǎng)2 In 　 GTR是用電流信號(hào)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的,，所需驅(qū)動(dòng)功率較大，故基極驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)比較復(fù)雜,，并使工作頻率難以提高,，這是其不足之處。 今天我告訴大家的是MOSFET以及IGBT

1,、 功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（POWER MOSFET） 它的3個(gè)極分別是源極S,、漏極D和柵極G

其工作特點(diǎn)是，G,、S間的控制信號(hào)是電壓信號(hào)Ugs,。改變Ugs的大小，主電路的漏極電流Id也跟著改變,。由于G,、S間的輸入阻抗很大,，故控制電流幾乎為0，所需驅(qū)動(dòng)功率很小,。和GTR相比,，其驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)比較簡(jiǎn)單，工作頻率也比較高,。MOSFET還具有熱穩(wěn)定性好,、安全工作區(qū)大 等優(yōu)點(diǎn)。

功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管在提高擊穿電壓和增大電流方面進(jìn)展較慢,，故在變頻器中的應(yīng)用尚不能居主導(dǎo)地位,。

2、 絕緣柵雙極晶體管（IGBT） IGBT是MOSFET和GTR相結(jié)合的產(chǎn)物,，是柵極為絕緣柵結(jié)構(gòu)（MOS結(jié)構(gòu)）的晶體管，它的三個(gè)極分別是集電極C,、發(fā)射極E和柵極G,。

工作特點(diǎn)是，控制部分與場(chǎng)效應(yīng)晶體管相同,，控制信號(hào)為電壓信號(hào)Uge,輸入阻抗很高,，柵極電流I≈0，故驅(qū)動(dòng)功率很小,。而起主電路部分則與GTR相同,，工作電流為集電極電流I。

至今,，IGBT的擊穿電壓也已做到1200V,，集電極最大飽和電流已超過(guò)1500A，由IGBT作為逆變器件的變頻器容量已達(dá)到250KVA以上,。

其工作頻率可達(dá)20KHZ,。由IGBT作為逆變器件的變頻器的載波頻率一般都在10KHZ以上，故電動(dòng)機(jī)的電源波形比較平滑,，基本無(wú)電磁噪聲,。

在變頻器工作時(shí)，流過(guò)變頻器的電流是很大的, 變頻器產(chǎn)生的熱量也是非常大的,，不能忽視其發(fā)熱所產(chǎn)生的影響

通常,，變頻器安裝在控制柜中。我們要了解一臺(tái)變頻器的發(fā)熱量大概是多少. 可以用以下公式估算: 　 發(fā)熱量的近似值= 變頻器容量（KW）×55 [W]

在這里, 如果變頻器容量是以恒轉(zhuǎn)矩負(fù)載為準(zhǔn)的 (過(guò)流能力150% * 60s)

如果變頻器帶有直流電抗器或交流電抗器, 并且也在柜子里面, 這時(shí)發(fā)熱量會(huì)更大一些,。 電抗器安裝在變頻器側(cè)面或測(cè)上方比較好,。

這時(shí)可以用估算: 變頻器容量（KW）×60 [W]

因?yàn)楦髯冾l器廠(chǎng)家的硬件都差不多, 上式可以針對(duì)各品牌的產(chǎn)品.

注意： 如果有制動(dòng)電阻的話(huà)，因?yàn)橹苿?dòng)電阻的散熱量很大,， **安裝位置**和變頻器隔離開(kāi),， 如裝在柜子上面或旁邊等,。

那么, 怎樣才能降低控制柜內(nèi)的發(fā)熱量呢?

當(dāng)變頻器安裝在控制機(jī)柜中時(shí)，要考慮變頻器發(fā)熱值的問(wèn)題,。

根據(jù)機(jī)柜內(nèi)產(chǎn)生熱量值的增加,，要適當(dāng)?shù)卦黾訖C(jī)柜的尺寸。要使控制機(jī)柜的尺寸盡量減小,，就必須要使機(jī)柜中產(chǎn)生的熱量值盡可能地減少,。

如果在變頻器安裝時(shí)，把變頻器的散熱器部分放到控制機(jī)柜的外面,，將會(huì)使變頻器有70%的發(fā)熱量釋放到控制機(jī)柜的外面,。由于大容量變頻器有很大的發(fā)熱量，對(duì)大容量變頻器更加有效,。

還可以用隔離板把本體和散熱器隔開(kāi), 使散熱器的散熱不影響到變頻器本體,。這樣效果也很好?！∽⒁猓鹤冾l器散熱設(shè)計(jì)中都是以垂直安裝為基礎(chǔ)的,，橫著放散熱會(huì)變差的!

冷卻風(fēng)扇

一般功率稍微大一點(diǎn)的變頻器， 都帶有冷卻風(fēng)扇,。也建議在控制柜上出風(fēng)口安裝冷卻風(fēng)扇,。進(jìn)風(fēng)口要加濾網(wǎng)以防止灰塵進(jìn)入控制柜。 注意控制柜和變頻器上的風(fēng)扇都是要的,，不能誰(shuí)替代誰(shuí),。

其他關(guān)于散熱的問(wèn)題

在海拔高于1000m的地方，因?yàn)榭諝饷芏冉档?，?yīng)加大柜子的冷卻風(fēng)量以改善冷卻效果,。理論上變頻器也應(yīng)考慮降容，1000m每-5%,。但由于實(shí)際上因?yàn)樵O(shè)計(jì)上變頻器的負(fù)載能力和散熱能力一般比實(shí)際使用的要大,， 也要看具體應(yīng)用。 比方說(shuō)在1500m的地方,，周期性負(fù)載,，如電梯，就不必要降容,。

2,。 開(kāi)關(guān)頻率：變頻器的發(fā)熱主要來(lái)自于IGBT， IGBT的發(fā)熱有集中在開(kāi)和關(guān)的瞬間,。 開(kāi)關(guān)頻率高時(shí)自然變頻器的發(fā)熱量就變大了,。 有的廠(chǎng)家宣稱(chēng)降低開(kāi)關(guān)頻率可以擴(kuò)容， 就是這個(gè)道理,。